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加码布局第三代半导体材料 三安集成携手金龙汽车推进碳化硅功率器件发展

[ 2020-09-30 14:29 ]   来源:[ 中国证券报 ]    双击自动滚频 
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  原标题:三安集成与金龙汽车战略合作 推进碳化硅功率器件应用

  中国证券报记者从三安光电获悉,9月29日,三安光电旗下三安集成与金龙汽车子公司金龙新能源在厦门签署战略合作框架协议,双方将共同推进碳化硅功率器件在新能源客车电机控制器、辅驱控制器的样机试制以及批量应用。

  三安集成副总经理杨健表示,非常荣幸能与中国客车龙头企业金龙新能源达成战略合作框架协议,也欢迎更多全球整车、零部件企业与三安一同探讨车规级第三代半导体的应用。

  以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因其宽禁带特性,拥有硅(Si)器件无法比拟的电气性能。碳化硅是硅材料禁带宽度的3倍左右,能承受更高的工温度和工作电压;碳化硅材料拥有更高的电子饱和漂移速率,使其开关频率更高、开关损耗更小。

  据介绍,在纯电动汽车的“功率交换器、车载充电器和电机控制器”中采用碳化硅功率器件,能有效减小散热系统体积;显著提高工作频率进而减小无源器件体积、提高功率密度;显著降低电机控制器的能耗。简言之,采用碳化硅功率器件,可以使电动汽车实现电气系统轻量化、低损耗快速充电、承载更大功率和提供更长续航里程。

  目前碳化硅功率器件成本仍相对较高,但随着全球产业化进程和产能不断提升,成本问题可得到解决。

  三安集成目前已经推出1200V/650V碳化硅肖特基二极管(MPS结构)以及650V氮化镓E-HEMT产品,1200V碳化硅MOSFET产品也将于2020年四季度推出。今年7月,三安集成宣布长沙碳化硅制造基地动工建设,总投资160亿元,占地面积1000亩,是具有自主知识产权的衬底、外延、芯片及封装全产业链生产基地。项目全面建成后,碳化硅功率器件产能将从目前的2.4万片/年提升至36万片/年。

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